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SKU:
MZ-V9P1T0GW
Brand:
Samsung
| Caractéristiques | Détails |
| Désignation | Samsung SSD 990 PRO M.2 PCIe NVMe 1 To avec dissipateur |
| Marque | Samsung |
| Modèle | MZ-V9P1T0GW |
| Capacité | 1 To |
| Interface | M.2 - PCIe 4.0 x4 |
| Format | M.2 2280 |
| Mémoire flash | TLC (Triple-Level Cell) |
| Cache DRAM | 1 Go |
| Dissipateur thermique | Oui (Refroidissement passif par radiateur) |
| Refroidissement | Radiateur (passif) |
| Compatible PS5 | Oui |
| NVMe | Oui (NVMe 1.4) |
| Vitesse en lecture | Jusqu'à 7450 Mo/s |
| Vitesse en écriture | Jusqu'à 6900 Mo/s |
| IOPS en lecture | Jusqu’à 1 200 000 IOPS |
| IOPS en écriture | Jusqu’à 1 550 000 IOPS |
| Endurance (TBW) | 600 ToE |
| Compatible TRIM | Oui |
| Largeur | 22 mm |
| Hauteur (épaisseur) | 8.2 mm |
| Profondeur (longueur) | 80 mm |
| Poids | 9 g |
899,00 MAD
SKU:
MZ-V9P2T0GW
Brand:
Samsung
| Caractéristiques | Détails |
| Marque | Samsung |
| Référence produit | MZ-V9P2T0GW |
| Type | SSD Interne |
| Format | M.2 2280 |
| Capacité | 2 To |
| Interface | PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 |
| Mémoire NAND | Samsung V-NAND 3-bit TLC |
| Contrôleur | Samsung in-house |
| Mémoire tampon cache | 2 Go LPDDR4 SDRAM |
| Débits lecture/écriture | Jusqu’à 7450 Mo/s / 6900 Mo/s |
| Performances 4K QD32 (IOPS) | Lecture : 1 400K / Écriture : 1 550K |
| Performances 4K QD1 (IOPS) | Lecture : 22K / Écriture : 80K |
| Endurance | 1200 To (Téraoctets écrits) |
| Dissipateur thermique | Oui (intégré) |
| Dimensions (L x P x H) | 8 cm x 2,2 cm x 0,238 cm |
| Poids | 9 g |
| Baie compatible | M.2 2280 |
1 999,00 MAD
SKU:
T5
Brand:
Samsung
999,00 MAD
| Caractéristique | Détail |
| Capacité | 2 To |
| Interface | USB 3.1 Gen 2 (USB-C) |
| Vitesse de lecture | Jusqu’à 540 Mo/s |
| Format | 2.5 pouces |
| Dimensions | 74 x 57.3 x 10.5 mm |
| Poids | 51 g |
| Résistance | Antichoc, chutes jusqu’à 2 m |
| Sécurité | Cryptage AES 256-bit (optionnel) |
| Compatibilité | PC, Mac, Android |
| Câbles inclus | USB-C vers USB-C / USB-C vers A |
999,00 MAD